ABLIC推出面向智能手机、可穿戴设备的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」

美蓓亚三美株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出使用N沟道MOSFET(※1)实现正端保护(※2)的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」。

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今天推出的新产品「S-821A/1B系列」是1节锂离子电池保护IC，具有以下特点：（1）通过将进行充放电控制的N沟道MOSFET配置在锂离子电池的正极侧（正端），实现切断电池正极侧电流路径的保护方式，同时，电池组侧和系统侧的共地为简化系统设计做出贡献。另外，由于内置有业界最高等级的3倍升压充电泵，所以N沟道MOSFET的驱动电压高，降低了N沟道MOSFET的导通电阻；（2）备有业界顶级精度的放电过电流保护(3段)，能够在安全的领域切断异常电流；（3）过充电检测电压精度为±15mV，实现业界顶级的高精度化；（4）通过节电功能，在禁止电池放电的同时，将保护IC的消耗电流降低到最大50nA，将电池的消耗电流抑制为近乎于0；（5）通过将NTC热敏电阻与热敏电阻连接端子（TH端子）连接，能够实现过热保护功能。

(※1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金属氧化物半导体场效应晶体管）

(※2) 正端保护：在电池的正极侧与负载之间插入MOSFET，发生异常时通过关闭MOSFET来切断通电路径，保护电路及设备

【主要特点】

1.实现N沟道正端保护

2.通过3段放电过电流保护，实现更高的安全性

3.过充电检测电压精度为±15mV，实现了业界顶级的高精度

4.通过节电功能可以抑制消耗电流

5. 通过连接NTC热敏电阻，实现过热保护功能

【应用案例】

锂离子可充电电池组、锂聚合物可充电电池组